SI2327DS-T1-E3
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Teilenummer | SI2327DS-T1-E3 |
PNEDA Teilenummer | SI2327DS-T1-E3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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Auf Lager | 4.860 |
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SI2327DS-T1-E3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI2327DS-T1-E3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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SI2327DS-T1-E3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 380mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.35Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 750mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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