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NP48N055KLE-E1-AY

NP48N055KLE-E1-AY

Nur als Referenz

Teilenummer NP48N055KLE-E1-AY
PNEDA Teilenummer NP48N055KLE-E1-AY
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 48A TO-263
Hersteller Renesas Electronics America
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NP48N055KLE-E1-AY Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNP48N055KLE-E1-AY
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NP48N055KLE-E1-AY, NP48N055KLE-E1-AY Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 299,9 KB)
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NP48N055KLE-E1-AY Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.8W (Ta), 85W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3Ohm @ 1.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

329pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

58W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON6284

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Ta), 78A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2162pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

7.4W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

FDS5170N7

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2889pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NVMFS4C310NT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

NTJS3157NT2

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

400mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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