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SI1034CX-T1-GE3

SI1034CX-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI1034CX-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI1034CX-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V SC89-6
Hersteller Vishay Siliconix
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SI1034CX-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1034CX-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI1034CX-T1-GE3, SI1034CX-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 158,66 KB)
PDFSI1034CX-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI1034CX-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI1034CX-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI1034CX-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI1034CX-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI1034CX-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI1034CX-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI1034CX-T1-GE3 Datenblatt Seite 8

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SI1034CX-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.610mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs396mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds43pF @ 10V
Leistung - max220mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSC-89-6

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Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

43A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 25V

Leistung - max

34W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

472pF @ 15V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32.5mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 10V

Leistung - max

1.15W (Ta)

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