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SH8J66TB1

SH8J66TB1

Nur als Referenz

Teilenummer SH8J66TB1
PNEDA Teilenummer SH8J66TB1
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 19.308
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SH8J66TB1 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSH8J66TB1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SH8J66TB1, SH8J66TB1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 156,43 KB)
PDFSH8J66TB1 Datenblatt Cover
SH8J66TB1 Datenblatt Seite 2 SH8J66TB1 Datenblatt Seite 3 SH8J66TB1 Datenblatt Seite 4 SH8J66TB1 Datenblatt Seite 5 SH8J66TB1 Datenblatt Seite 6

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SH8J66TB1 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 10V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

458pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

DMC2450UV-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.03A, 700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

37.1pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

NTGD3149CT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

387pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Leistung - max

-

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