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DMC2450UV-13

DMC2450UV-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMC2450UV-13
PNEDA Teilenummer DMC2450UV-13
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.622
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMC2450UV-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC2450UV-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC2450UV-13, DMC2450UV-13 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 471,34 KB)
PDFDMC2450UV-13 Datenblatt Cover
DMC2450UV-13 Datenblatt Seite 2 DMC2450UV-13 Datenblatt Seite 3 DMC2450UV-13 Datenblatt Seite 4 DMC2450UV-13 Datenblatt Seite 5 DMC2450UV-13 Datenblatt Seite 6 DMC2450UV-13 Datenblatt Seite 7 DMC2450UV-13 Datenblatt Seite 8 DMC2450UV-13 Datenblatt Seite 9 DMC2450UV-13 Datenblatt Seite 10

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DMC2450UV-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.03A, 700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds37.1pF @ 10V
Leistung - max450mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 6V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-EMH

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 6V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

APTM20DUM04G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

372A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 186A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28900pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 19µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Leistung - max

51W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-10

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

710mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 25V

Leistung - max

410mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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