APTM20DUM04G
Nur als Referenz
Teilenummer | APTM20DUM04G |
PNEDA Teilenummer | APTM20DUM04G |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.088 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
APTM20DUM04G Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APTM20DUM04G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APTM20DUM04G Datasheet
- where to find APTM20DUM04G
- Microsemi
- Microsemi APTM20DUM04G
- APTM20DUM04G PDF Datasheet
- APTM20DUM04G Stock
- APTM20DUM04G Pinout
- Datasheet APTM20DUM04G
- APTM20DUM04G Supplier
- Microsemi Distributor
- APTM20DUM04G Price
- APTM20DUM04G Distributor
APTM20DUM04G Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 372A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 186A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
Leistung - max | 1250W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP6 |
Lieferantengerätepaket | SP6 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A, 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1276pF @ 15V Leistung - max 1.19W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 10V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3450pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 28µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V Leistung - max 65W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4230pF @ 20V Leistung - max 50W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 12-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 12-Power3.3x5 |