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SGW23N60UFDTM

SGW23N60UFDTM

Nur als Referenz

Teilenummer SGW23N60UFDTM
PNEDA Teilenummer SGW23N60UFDTM
Beschreibung IGBT 600V 23A 100W D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SGW23N60UFDTM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGW23N60UFDTM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGW23N60UFDTM, SGW23N60UFDTM Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 591,28 KB)
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SGW23N60UFDTM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)23A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)92A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 12A
Leistung - max100W
Schaltenergie115µJ (on), 135µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge49nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/60ns
Testbedingung300V, 12A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD²PAK

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 10A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

36nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 10A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

55W

Schaltenergie

141µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/36ns

Testbedingung

300V, 10A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

5.3mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

480nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/200ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.35mJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/110ns

Testbedingung

700V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

140µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/230ns

Testbedingung

400V, 10A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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