SF1001GHC0G
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| Teilenummer | SF1001GHC0G |
| PNEDA Teilenummer | SF1001GHC0G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AB |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.052 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SF1001GHC0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SF1001GHC0G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SF1001GHC0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | 70pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 4A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 680mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 150µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie POWERMITE® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-216AA Lieferantengerätepaket Powermite Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 55pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
