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SE70PJ-M3/87A

SE70PJ-M3/87A

Nur als Referenz

Teilenummer SE70PJ-M3/87A
PNEDA Teilenummer SE70PJ-M3-87A
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.406
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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SE70PJ-M3/87A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSE70PJ-M3/87A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SE70PJ-M3/87A, SE70PJ-M3/87A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 98,5 KB)
PDFSE70PJHM3/86A Datenblatt Cover
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SE70PJ-M3/87A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)2.9A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.05V @ 7A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2.6µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr20µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.76pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-277, 3-PowerDFN
LieferantengerätepaketTO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

7pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAS40-00-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

SS2PH6HM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

93pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SR1203 R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

JANTX1N5620

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/427

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

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