JANTX1N5620
Nur als Referenz
Teilenummer | JANTX1N5620 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | JANTX1N5620 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | ||||||||||||||||||
Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 288 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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JANTX1N5620 Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | JANTX1N5620 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANTX1N5620 Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/427 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500nA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | A, Axial |
Lieferantengerätepaket | - |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 200°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Powerex Inc. Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 220A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.75V @ 800A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -45°C ~ 150°C |
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 150A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 150A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 4mA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AA (DO-8) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -60°C ~ 200°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 400µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Comchip Technology Hersteller Comchip Technology Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 180pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 3220/DO-214AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |