SE20AFG-M3/6B
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| Teilenummer | SE20AFG-M3/6B |
| PNEDA Teilenummer | SE20AFG-M3-6B |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.640 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SE20AFG-M3/6B Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SE20AFG-M3/6B |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SE20AFG-M3/6B Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.3A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.2µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F. | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | DO-221AC (SlimSMA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 10A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3600V Current - Average Rectified (Io) 950A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.78V @ 3000A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100mA @ 3600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 8A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 55ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/359 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket A, Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2000V Current - Average Rectified (Io) 255A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 30mA @ 2000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
