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SD233N36S50PSC

SD233N36S50PSC

Nur als Referenz

Teilenummer SD233N36S50PSC
PNEDA Teilenummer SD233N36S50PSC
Beschreibung DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.148
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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SD233N36S50PSC Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD233N36S50PSC
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SD233N36S50PSC, SD233N36S50PSC Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 231,84 KB)
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SD233N36S50PSC Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)3600V
Current - Average Rectified (Io)235A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If3.2V @ 1000A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)5µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 3600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallB-8
LieferantengerätepaketB-8
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0503 (1308 Metric)

Lieferantengerätepaket

0503/SOD-723F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

VS-20ETF06S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

FR20B02

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

SR520HB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CTS05S30,L3F

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

340mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

55pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-882

Lieferantengerätepaket

CST2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

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