SCT2450KEC
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| Teilenummer | SCT2450KEC |
| PNEDA Teilenummer | SCT2450KEC |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.536 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SCT2450KEC Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SCT2450KEC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SCT2450KEC Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 3A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 463pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 85W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220ML Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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