IXTY1R4N120PHV
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Teilenummer | IXTY1R4N120PHV |
PNEDA Teilenummer | IXTY1R4N120PHV |
Beschreibung | MOSFET N-CH |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.964 |
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IXTY1R4N120PHV Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXTY1R4N120PHV |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXTY1R4N120PHV Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | Polar™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 666pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 86W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-252 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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