TPW1R306PL,L1Q
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| Teilenummer | TPW1R306PL,L1Q |
| PNEDA Teilenummer | TPW1R306PL-L1Q |
| Beschreibung | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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TPW1R306PL Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPW1R306PL,L1Q |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPW1R306PL Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIX-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 260A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.29mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8100pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-DSOP Advance |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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