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SCH1436-TL-H

SCH1436-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer SCH1436-TL-H
PNEDA Teilenummer SCH1436-TL-H
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 1.8A SCH6
Hersteller ON Semiconductor
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SCH1436-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSCH1436-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SCH1436-TL-H, SCH1436-TL-H Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 659,75 KB)
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SCH1436-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds88pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)800mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-SCH
Paket / FallSOT-563, SOT-666

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FDT1600N10ALZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.77nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

10.42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

AUIRFSL8407

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

195A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7330pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FCPF400N80Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IRF614SPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SCH1331-TL-W

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-563/SCH6

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

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