Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FCPF400N80Z

FCPF400N80Z

Nur als Referenz

Teilenummer FCPF400N80Z
PNEDA Teilenummer FCPF400N80Z
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 17.670
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FCPF400N80Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFCPF400N80Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FCPF400N80Z, FCPF400N80Z Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 662,58 KB)
PDFFCPF400N80Z Datenblatt Cover
FCPF400N80Z Datenblatt Seite 2 FCPF400N80Z Datenblatt Seite 3 FCPF400N80Z Datenblatt Seite 4 FCPF400N80Z Datenblatt Seite 5 FCPF400N80Z Datenblatt Seite 6 FCPF400N80Z Datenblatt Seite 7 FCPF400N80Z Datenblatt Seite 8 FCPF400N80Z Datenblatt Seite 9 FCPF400N80Z Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FCPF400N80Z Datasheet
  • where to find FCPF400N80Z
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FCPF400N80Z
  • FCPF400N80Z PDF Datasheet
  • FCPF400N80Z Stock

  • FCPF400N80Z Pinout
  • Datasheet FCPF400N80Z
  • FCPF400N80Z Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FCPF400N80Z Price
  • FCPF400N80Z Distributor

FCPF400N80Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSuperFET® II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2350pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)35.7W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PMXB360ENEAZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW (Ta), 6.25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN1010D-3

Paket / Fall

3-XDFN Exposed Pad

FQA13N50CF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FRFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2055pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

218W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

STU150N3LLH6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4040pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPI057N08N3 G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NTP30N06LG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

88.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

IRAMX16UP60B-2

IRAMX16UP60B-2

Infineon Technologies

IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2

ISL6124IRZA-T

ISL6124IRZA-T

Renesas Electronics America Inc.

IC POWER SUPPLY SEQUENCER 24QFN

LT8640EUDC#TRPBF

LT8640EUDC#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 5A 20QFN

74HC164D

74HC164D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC SHIFT REGISTER 8BIT 14SOP

MURS120-E3/52T

MURS120-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GP 200V 1A DO214AA

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

MAX3485ESA+

MAX3485ESA+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

NC7SZ08P5X

NC7SZ08P5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

MC33990D

MC33990D

NXP

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

MPZ1608S221ATA00

MPZ1608S221ATA00

TDK

FERRITE BEAD 220 OHM 0603 1LN

ATTINY841-SSU

ATTINY841-SSU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 14SOIC

LTM4625EY#PBF

LTM4625EY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 5A