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SBX201C-TB-E

SBX201C-TB-E

Nur als Referenz

Teilenummer SBX201C-TB-E
PNEDA Teilenummer SBX201C-TB-E
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 2V 50MA 3CP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.092
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 26 - Jan 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SBX201C-TB-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSBX201C-TB-E
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
SBX201C-TB-E, SBX201C-TB-E Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 243,94 KB)
PDFSBX201C-TB-E Datenblatt Cover
SBX201C-TB-E Datenblatt Seite 2 SBX201C-TB-E Datenblatt Seite 3 SBX201C-TB-E Datenblatt Seite 4 SBX201C-TB-E Datenblatt Seite 5

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SBX201C-TB-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)2V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)50mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If320mV @ 1mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket3-CP

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

883A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

18µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MBR20100CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

HTZ280H28K

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

28000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

4.7A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

23V @ 12A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 28000V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MBR2X120A100

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 120A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

UPS1040CTE3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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