SBT80-10JS
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| Teilenummer | SBT80-10JS |
| PNEDA Teilenummer | SBT80-10JS |
| Beschreibung | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.658 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SBT80-10JS Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBT80-10JS |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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SBT80-10JS Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 50V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220ML |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 120ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
