MSRT20060(A)
Nur als Referenz
| Teilenummer | MSRT20060(A) |
| PNEDA Teilenummer | MSRT20060-A |
| Beschreibung | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.068 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MSRT20060(A) Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSRT20060(A) |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MSRT20060(A) Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 400A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 20V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 75V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 215mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 75V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 35A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 35A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 600V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SM3 |
Hersteller IXYS Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1800V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 950A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 880mV @ 500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 18µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 1800V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 550µA @ 90V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
