SBR10U100CT
Nur als Referenz
| Teilenummer | SBR10U100CT | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | SBR10U100CT | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY SBR 100V 5A TO220AB | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 172.977 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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SBR10U100CT Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBR10U100CT |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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SBR10U100CT Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | SBR® |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Super Barrier |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 670mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 200µA @ 100V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 35V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 20A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 210µA @ 650V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodenkonfiguration - Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 45A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 54A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 60µA @ 150V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - |
