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IDW40G65C5BXKSA1

IDW40G65C5BXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IDW40G65C5BXKSA1
PNEDA Teilenummer IDW40G65C5BXKSA1
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.896
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IDW40G65C5BXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDW40G65C5BXKSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

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IDW40G65C5BXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieCoolSiC™+
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)20A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 20A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr210µA @ 650V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.5µA @ 75V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

MBR1060CT-I

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

V60DM100C-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®, TMBS®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

860mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

Lieferantengerätepaket

TO-263AC (SMPD)

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

240ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Chassis Mount

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