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SBAW56LT1G

SBAW56LT1G

Nur als Referenz

Teilenummer SBAW56LT1G
PNEDA Teilenummer SBAW56LT1G
Beschreibung DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 43.854
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SBAW56LT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSBAW56LT1G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
SBAW56LT1G, SBAW56LT1G Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 88,83 KB)
PDFSBAW56LT3G Datenblatt Cover
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SBAW56LT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)70V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)6ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2.5µA @ 70V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

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Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.48V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

210µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PW

MBR12080CT

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Twin Tower

Lieferantengerätepaket

Twin Tower

VS-VSKCS208/060

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

690mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.1mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3)

Lieferantengerätepaket

ADD-A-PAK®

STPS20SM60CT

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

645mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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