V60200PGW-M3/4W
Nur als Referenz
| Teilenummer | V60200PGW-M3/4W | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | V60200PGW-M3-4W | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO3PW | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 17.656 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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V60200PGW-M3/4W Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | V60200PGW-M3/4W |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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V60200PGW-M3/4W Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS® |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 30A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.48V @ 30A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 210µA @ 200V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PW |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 25V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
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