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S3J-TP

S3J-TP

Nur als Referenz

Teilenummer S3J-TP
PNEDA Teilenummer S3J-TP
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Hersteller Micro Commercial Co
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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S3J-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS3J-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S3J-TP, S3J-TP Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 624,82 KB)
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S3J-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketDO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

640pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 5A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

190µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

240pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

MMBD1501A_D87Z

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10nA @ 180V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

RB050LAM-30TFTR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

51ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-60°C ~ 175°C

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