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S70V

S70V

Nur als Referenz

Teilenummer S70V
PNEDA Teilenummer S70V
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.4KV 70A DO5
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 4.500
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S70V Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS70V
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S70V, S70V Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 798,82 KB)
PDFS70YR Datenblatt Cover
S70YR Datenblatt Seite 2 S70YR Datenblatt Seite 3

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S70V Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1400V
Current - Average Rectified (Io)70A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 70A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AB, DO-5, Stud
LieferantengerätepaketDO-5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

1N4007GPEHE3/91

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SRAS2090HMNG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N4005G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

ES1HL RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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