S34ML01G200BHB000
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| Teilenummer | S34ML01G200BHB000 |
| PNEDA Teilenummer | S34ML01G200BHB000_33 |
| Beschreibung | IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.894 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 12 - Apr 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S34ML01G200BHB000 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S34ML01G200BHB000 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S34ML01G200BHB000 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | ML-2 |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-BGA (11x9) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 8Kb (1K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 4.5µs Spannung - Versorgung 2.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 134-TFBGA Lieferantengerätepaket 134-TFBGA (10x11.5) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EPROM Technologie EPROM - UV Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window Lieferantengerätepaket 32-CDIP |
