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S29GL512T12DHN013

S29GL512T12DHN013

Nur als Referenz

Teilenummer S29GL512T12DHN013
PNEDA Teilenummer S29GL512T12DHN013
Beschreibung IC FLASH 512M PARALLEL
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.952
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 3 - Apr 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S29GL512T12DHN013 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS29GL512T12DHN013
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S29GL512T12DHN013 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieGL-T
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße512Mb (64M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite60ns
Zugriffszeit120ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall64-LBGA
Lieferantengerätepaket64-FBGA (9x9)

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Adesto Technologies

Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

85MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8µs, 4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IDT71124S12YGI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-SOJ

CY62136FV30LL-55ZSXET

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

DS1270Y-70IND

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

36-EDIP

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