MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 |
| PNEDA Teilenummer | MT29VZZZ7C7DQFSL-046-W-9J7 |
| Beschreibung | 280G |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.680 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | * |
| Speichertyp | - |
| Speicherformat | - |
| Technologie | - |
| Speichergröße | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSOP |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-TFBGA (13x15) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.1V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 272-WFBGA Lieferantengerätepaket 272-WFBGA (15x15) |
