S29GL256P11FFIS30
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| Teilenummer | S29GL256P11FFIS30 |
| PNEDA Teilenummer | S29GL256P11FFIS30 |
| Beschreibung | IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.232 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 19 - Mär 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S29GL256P11FFIS30 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S29GL256P11FFIS30 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S29GL256P11FFIS30 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-P |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 256Mb (32M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 110ns |
| Zugriffszeit | 110ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-FBGA (13x11) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, QUAD Speichergröße 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.4ns Spannung - Versorgung 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-LFBGA (15x17) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 2.2V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 8Kb (1K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 10MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 4ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
