S29GL128S10DHI010
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| Teilenummer | S29GL128S10DHI010 |
| PNEDA Teilenummer | S29GL128S10DHI010 |
| Beschreibung | IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 11.904 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S29GL128S10DHI010 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S29GL128S10DHI010 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S29GL128S10DHI010 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-S |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 128Mb (8M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60ns |
| Zugriffszeit | 100ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-FBGA (9x9) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM Speichergröße 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 1.28V ~ 1.42V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 168-LBGA Lieferantengerätepaket 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 450ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10.5) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (16M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
