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CY14B256L-SP45XC

CY14B256L-SP45XC

Nur als Referenz

Teilenummer CY14B256L-SP45XC
PNEDA Teilenummer CY14B256L-SP45XC
Beschreibung IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.338
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY14B256L-SP45XC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY14B256L-SP45XC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY14B256L-SP45XC, CY14B256L-SP45XC Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.085,48 KB)
PDFCY14B256L-SZ45XIT Datenblatt Cover
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CY14B256L-SP45XC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket48-SSOP

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

8Gb (1G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.33GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

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