S25FL512SAGBHIA10
Nur als Referenz
| Teilenummer | S25FL512SAGBHIA10 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | S25FL512SAGBHIA10 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.355 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 17 - Feb 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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S25FL512SAGBHIA10 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S25FL512SAGBHIA10 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S25FL512SAGBHIA10 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | FL-S |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 24-TBGA |
| Lieferantengerätepaket | 24-BGA (8x6) |
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Hersteller Microchip Technology Serie SST39 MPF™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10µs Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFBGA Lieferantengerätepaket 48-TFBGA (6x8) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
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Hersteller Everspin Technologies Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat RAM Technologie MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-LFBGA Lieferantengerätepaket 48-FBGA (10x10) |
