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S25FL208K0RMFI040

S25FL208K0RMFI040

Nur als Referenz

Teilenummer S25FL208K0RMFI040
PNEDA Teilenummer S25FL208K0RMFI040
Beschreibung IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 7.254
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 23 - Feb 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S25FL208K0RMFI040 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS25FL208K0RMFI040
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S25FL208K0RMFI040 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieFL2-K
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße8Mb (1M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz76MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

15MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-TSOP

AT45D081-TI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

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28-TSOP

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

84-TWBGA (8x12.5)

M48Z512AY-70PM1

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

32-PMDIP Module

MT46V32M16FN-6:F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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