S16K
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Teilenummer | S16K |
PNEDA Teilenummer | S16K |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.470 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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S16K Ressourcen
Marke | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | S16K |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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S16K Technische Daten
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Current - Average Rectified (Io) | 16A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 16A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
Lieferantengerätepaket | - |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/585 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, A Lieferantengerätepaket D-5A Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 4pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 190°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |