RSJ450N04TL
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| Teilenummer | RSJ450N04TL |
| PNEDA Teilenummer | RSJ450N04TL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 45A LPTS |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RSJ450N04TL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RSJ450N04TL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RSJ450N04TL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 45A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LPTS |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 5.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 82W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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