RR2L6SDDTE25
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Teilenummer | RR2L6SDDTE25 |
PNEDA Teilenummer | RR2L6SDDTE25 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 14.502 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RR2L6SDDTE25 Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RR2L6SDDTE25 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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RR2L6SDDTE25 Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
Lieferantengerätepaket | PMDS |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
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Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 430pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |