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DA2J10400L

DA2J10400L

Nur als Referenz

Teilenummer DA2J10400L
PNEDA Teilenummer DA2J10400L
Beschreibung DIODE GEN PURP 80V 200MA SMINI2
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 782.502
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DA2J10400L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDA2J10400L
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
DA2J10400L, DA2J10400L Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 263,68 KB)
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DA2J10400L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Current - Average Rectified (Io)200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 200mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)10ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.4pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-90, SOD-323F
LieferantengerätepaketSMini2-F5-B
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2.1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

37pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

IDH09G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

9A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 9A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

160µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

270pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

GL41A-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

MBR15200DJFTR

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

400pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-PDFNWB (5x6)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 200°C

BAV100-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

250mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

1.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Lieferantengerätepaket

SOD-80 MiniMELF

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

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