RQJ0303PGDQA#H6
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| Teilenummer | RQJ0303PGDQA#H6 |
| PNEDA Teilenummer | RQJ0303PGDQA-H6 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RQJ0303PGDQA#H6 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RQJ0303PGDQA#H6 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
RQJ0303PGDQA#H6, RQJ0303PGDQA#H6 Datenblatt
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RQJ0303PGDQA#H6 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 1.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-MPAK |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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