RQJ0303PGDQA#H6 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RQJ0303PGDQA#H6
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) +10V, -20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 3-MPAK Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
