Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RQA0002DNSTB-E

RQA0002DNSTB-E

Nur als Referenz

Teilenummer RQA0002DNSTB-E
PNEDA Teilenummer RQA0002DNSTB-E
Beschreibung MOSFET N-CH HWSON2
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.928
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RQA0002DNSTB-E Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRQA0002DNSTB-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
RQA0002DNSTB-E, RQA0002DNSTB-E Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 183,74 KB)
PDFRQA0002DNSTB-E Datenblatt Cover
RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 2 RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 3 RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 4 RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 5 RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 6 RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 7 RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 8 RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 9 RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 10 RQA0002DNSTB-E Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RQA0002DNSTB-E Datasheet
  • where to find RQA0002DNSTB-E
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RQA0002DNSTB-E
  • RQA0002DNSTB-E PDF Datasheet
  • RQA0002DNSTB-E Stock

  • RQA0002DNSTB-E Pinout
  • Datasheet RQA0002DNSTB-E
  • RQA0002DNSTB-E Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RQA0002DNSTB-E Price
  • RQA0002DNSTB-E Distributor

RQA0002DNSTB-E Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)16V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id750mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)15W (Tc)
Betriebstemperatur150°C
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket2-HWSON (5x4)
Paket / Fall3-DFN Exposed Pad

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI4100DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FQU13N10LTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SUD45P03-10-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4W (Ta), 70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSP135 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45Ohm @ 120mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 94µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

146pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

94A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 47A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5510pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1040W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Kürzlich verkauft

SSQ 2

SSQ 2

Bel Fuse

FUSE BOARD MNT 2A 125VAC/VDC SMD

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA

BLM18AG601SN1D

BLM18AG601SN1D

Murata

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

ADM3252EABCZ

ADM3252EABCZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 4CH RS232 44BGA

MCP4921-E/SN

MCP4921-E/SN

Microchip Technology

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

CDSOD323-T15SC

CDSOD323-T15SC

Bourns

TVS DIODE 15V 33V SOD323

EVQ-PAC09K

EVQ-PAC09K

Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

ADM211ARSZ-REEL

ADM211ARSZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 4/5 28SSOP

AD7793BRUZ

AD7793BRUZ

Analog Devices

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16TSSOP

CPH3225A

CPH3225A

Seiko Instruments

CAP 11MF 3.3V SURFACE MOUNT

74AVCH2T45DC,125

74AVCH2T45DC,125

Nexperia

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8VSSOP

DS2438Z+T&R

DS2438Z+T&R

Maxim Integrated

IC MONITOR SMART BATTERY 8-SOIC