Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVMFS4C05NWFT1G

NVMFS4C05NWFT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFS4C05NWFT1G
PNEDA Teilenummer NVMFS4C05NWFT1G
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 16.932
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 13 - Mär 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NVMFS4C05NWFT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFS4C05NWFT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NVMFS4C05NWFT1G, NVMFS4C05NWFT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 129,43 KB)
PDFNVMFS4C05NWFT3G Datenblatt Cover
NVMFS4C05NWFT3G Datenblatt Seite 2 NVMFS4C05NWFT3G Datenblatt Seite 3 NVMFS4C05NWFT3G Datenblatt Seite 4 NVMFS4C05NWFT3G Datenblatt Seite 5 NVMFS4C05NWFT3G Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NVMFS4C05NWFT1G Datasheet
  • where to find NVMFS4C05NWFT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVMFS4C05NWFT1G
  • NVMFS4C05NWFT1G PDF Datasheet
  • NVMFS4C05NWFT1G Stock

  • NVMFS4C05NWFT1G Pinout
  • Datasheet NVMFS4C05NWFT1G
  • NVMFS4C05NWFT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVMFS4C05NWFT1G Price
  • NVMFS4C05NWFT1G Distributor

NVMFS4C05NWFT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.24.7A (Ta), 116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1972pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.61W (Ta), 79W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIHA14N60E-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

309mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1205pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

147W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

STT3PF30L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

Paket / Fall

SOT-23-6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

IPU60R1K5CEAKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPP50R140CPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

550V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 930µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2540pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

192W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

ADP7182AUJZ-R7

ADP7182AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN NEG ADJ 200MA 5TSOT

LTC2950ITS8-1#TRMPBF

LTC2950ITS8-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PB ON/OFF CONTROLLER TSOT23-8

IHLP2525CZERR10M01

IHLP2525CZERR10M01

Vishay Dale

FIXED IND 100NH 32.5A 1.7 MOHM

L7815CV-DG

L7815CV-DG

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 15V 1.5A TO220

BAT41ZFILM

BAT41ZFILM

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD123

MMSZ4V7T1G

MMSZ4V7T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123

LTST-C191KSKT

LTST-C191KSKT

Lite-On Inc.

LED YELLOW CLEAR SMD

HCM0703-4R7-R

HCM0703-4R7-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 4.7UH 5.5A 40 MOHM SMD

MAX3491EESD+

MAX3491EESD+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

FC-135 32.7680KA-A5

FC-135 32.7680KA-A5

EPSON

CRYSTAL 32.7680 KHZ 12.5PF SMD

2N5485

2N5485

Central Semiconductor Corp

RF MOSFET N-CH JFET 15V TO-92

MC78M05ABDTRKG

MC78M05ABDTRKG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 500MA DPAK