RQ3E110AJTB
Nur als Referenz
Teilenummer | RQ3E110AJTB |
PNEDA Teilenummer | RQ3E110AJTB |
Beschreibung | RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.448 |
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RQ3E110AJTB Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RQ3E110AJTB |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RQ3E110AJTB Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Ta), 24A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 11A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-HSMT (3.2x3) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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