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RMPG06JHE3/73

RMPG06JHE3/73

Nur als Referenz

Teilenummer RMPG06JHE3/73
PNEDA Teilenummer RMPG06JHE3-73
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.966
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RMPG06JHE3/73 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRMPG06JHE3/73
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
RMPG06JHE3/73, RMPG06JHE3/73 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 73,25 KB)
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RMPG06JHE3/73 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.6.6pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallMPG06, Axial
LieferantengerätepaketMPG06
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25nA @ 70V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

HS24040

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

240A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 240A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

12mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

10500pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

HALF-PAK

Lieferantengerätepaket

HALF-PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

1N916A_T50R

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 20mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

FGP50D-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

100pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AA, DO-27, Axial

Lieferantengerätepaket

GP20

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

STPS1150AY

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Q Automotive

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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