1N916A_T50R
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| Teilenummer | 1N916A_T50R |
| PNEDA Teilenummer | 1N916A_T50R |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.912 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N916A_T50R Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N916A_T50R |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N916A_T50R Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 20mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 75V |
| Kapazität @ Vr, F. | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123 Lieferantengerätepaket SOD-123 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.5V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 30A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 60ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 15µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 570mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.7mA @ 35V Kapazität @ Vr, F. 1400pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
