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RJP60D0DPK-00#T0

RJP60D0DPK-00#T0

Nur als Referenz

Teilenummer RJP60D0DPK-00#T0
PNEDA Teilenummer RJP60D0DPK-00-T0
Beschreibung IGBT 600V 45A 140W TO-3P
Hersteller Renesas Electronics America
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RJP60D0DPK-00#T0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJP60D0DPK-00#T0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJP60D0DPK-00#T0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 22A
Leistung - max140W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge45nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/90ns
Testbedingung300V, 22A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

442V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

5mJ (on), 12.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1µs/12.1µs

Testbedingung

320V, 20A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

NGTB60N65FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

1.59mJ (on), 660µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

318nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

117ns/265ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

96ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGPF50F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

51A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

521W

Schaltenergie

742µJ (on), 427µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

D3Pak

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

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