RJM0603JSC-00#12
Nur als Referenz
| Teilenummer | RJM0603JSC-00#12 |
| PNEDA Teilenummer | RJM0603JSC-00-12 |
| Beschreibung | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.754 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RJM0603JSC-00#12 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJM0603JSC-00#12 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
RJM0603JSC-00#12, RJM0603JSC-00#12 Datenblatt
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RJM0603JSC-00#12 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Leistung - max | 54W |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 20-HSOP |
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