RJM0603JSC-00#12 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RJM0603JSC-00#12
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Hersteller Renesas Electronics America Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V Leistung - max 54W Betriebstemperatur 175°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 20-HSOP |
