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RGW00TS65DGC11

RGW00TS65DGC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGW00TS65DGC11
PNEDA Teilenummer RGW00TS65DGC11
Beschreibung 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 9.132
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RGW00TS65DGC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGW00TS65DGC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGW00TS65DGC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)96A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A
Leistung - max254W
Schaltenergie1.18mJ (on), 960µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge141nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.52ns/180ns
Testbedingung400V, 50A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)95ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247N

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

350µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/165ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

IRGP4620D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

75µJ (on), 225µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/83ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

310A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

860A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 160A

Leistung - max

940W

Schaltenergie

3.3mJ (on), 1.88mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 5A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

450µJ (on), 390µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/160ns

Testbedingung

960V, 5A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

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