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RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGW00TK65DGVC11
PNEDA Teilenummer RGW00TK65DGVC11
Beschreibung 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Hersteller Rohm Semiconductor
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RGW00TK65DGVC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGW00TK65DGVC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGW00TK65DGVC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A
Leistung - max89W
Schaltenergie1.18mJ (on), 960µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge141nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.52ns/180ns
Testbedingung400V, 50A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)95ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3PFM, SC-93-3
LieferantengerätepaketTO-3PFM

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

4.2mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/560ns

Testbedingung

600V, 25A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

880µJ (on), 520µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

166nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/412ns

Testbedingung

400V, 37.5A, 27Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

59ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/130ns

Testbedingung

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 24A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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